| 发明名称 | 硅晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供硅晶片的制造方法，所述方法包括：对所述硅晶片进行热处理以在所述硅晶片中形成除杂区和本体区域；在装载温度下将经热处理的所述硅晶片装载至加热装置中；在第一温度下对所述硅晶片实施第一退火工艺以在所述本体区域中补充产生氧沉淀物核及氧沉淀物；和在高于所述第一温度的第二温度下对所述硅晶片实施第二退火工艺以增大所述本体区域中的所述氧沉淀物；其中所述硅晶片的所述热处理在经热处理的所述硅晶片的所述装载之前进行。 | ||
| 申请公布号 | CN103498196A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201310361966.3 | 申请日期 | 2009.09.28 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 朴正求 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种用于制造硅晶片的方法，其包括：对所述硅晶片进行热处理以在所述硅晶片中形成除杂区和本体区域；在装载温度下将经热处理的所述硅晶片装载至加热装置中；在第一温度下对所述硅晶片实施第一退火工艺以在所述本体区域中补充产生氧沉淀物核及氧沉淀物；和在高于所述第一温度的第二温度下对所述硅晶片实施第二退火工艺以增大所述本体区域中的所述氧沉淀物；其中所述硅晶片的所述热处理在经热处理的所述硅晶片的所述装载之前进行。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||