| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开的薄膜晶体管具有：在基板(21)上形成的栅电极(22)；以覆盖该栅电极(22)的方式形成的栅绝缘膜(23)；在该栅绝缘膜(23)上形成的氧化物半导体层(24)；在该氧化物半导体层(24)的沟道形成部分形成的蚀刻阻挡膜(25)；和以覆盖氧化物半导体层(24)和蚀刻阻挡膜(25)的端部的方式形成的源电极(26s)及漏电极(26d)。另外，蚀刻阻挡膜(25)由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。 | ||
| 申请公布号 | CN103503125A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201280020983.4 | 申请日期 | 2012.06.19 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 佐藤荣一;青山俊之 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李逸雪 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其具有：在基板上形成的栅电极；以覆盖该栅电极的方式形成的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上形成的氧化物半导体层；在该氧化物半导体层的沟道形成部分形成的蚀刻阻挡膜；和以覆盖所述氧化物半导体层和蚀刻阻挡膜的端部的方式形成的源电极及漏电极，其中，所述蚀刻阻挡膜由能使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||