| 发明名称 | 一种阻挡层及其制备方法、薄膜晶体管、阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种阻挡层及其制备方法、薄膜晶体管、阵列基板，涉及显示技术领域，当所述阻挡层用于薄膜晶体管时，能够阻挡Cu原子向其他层的扩散，从而减小了对薄膜晶体管性能的损害。所述一种阻挡层包括至少两层导电薄膜；其中，任一层所述导电薄膜中的晶界与相接触的另一层所述导电薄膜中的晶界相互错位排列。 | ||
| 申请公布号 | CN103489900A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310397184.5 | 申请日期 | 2013.09.04 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阻挡层，其特征在于，包括至少两层导电薄膜；其中，任一层所述导电薄膜中的晶界与相接触的另一层所述导电薄膜中的晶界相互错位排列。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||