| 主权项 |
1.一种绝缘体的形成方法,包括:提供一工作部件;形成复数个构件于上述工作部件上,此复数个构件包括一第一高度且具有一上表面;沉积一绝缘体于上述复数个构件上与之间,其中该绝缘体形成峰状物于上述复数个构件的上表面上;将上述绝缘体暴露于一移除制程中,以移除一上述绝缘体峰状物的上方部分;将上述绝缘体由上述复数个构件的上表面移除;以及降低上述构件至一高度,此高度与介于上述复数个构件间的绝缘体的高度共平面。2.如申请专利范围第1项所述之绝缘体的形成方法,其中将该绝缘体暴露于该移除制程步骤包括将绝缘体暴露于一氩气键击制程,一氩气物理键击制程,这些制程是利用高密度电浆与射频偏压、一湿式蚀刻制程、一乾式蚀刻制程、一利用SiF4的化学蚀刻制程或一利用SiH4O2的化学蚀刻制程。3.如申请专利范围第1项所述之绝缘体的形成方法,其中沉积该绝缘体的步骤包括在介于复数个构件间沉积该绝缘体至一第二高度,其中该第二高度低于该第一高度。4.如申请专利范围第3项所述之绝缘体的形成方法,其中该第二高度低于该第一高度450埃。5.如申请专利范围第3项所述之绝缘体的形成方法,其中将该绝缘体暴露于于该移除制程步骤包括移除介于该复数构件间且位于该绝缘体上的一部份绝缘体,以使该第二高度降至一第三高度。6.如申请专利范围第5项所述之绝缘体的形成方法,其中该第三高度小于或等于该第一高度。7.如申请专利范围第5项所述之绝缘体的形成方法,其中该第三高度小于第二高度0~100埃。8.如申请专利范围第5项所述之绝缘体的形成方法,其中将上述绝缘体由上述复数个构件的上表面移除步骤包括一化学机械研磨(CMP)制程。9.如申请专利范围第8项所述之绝缘体的形成方法,其中该CMP制程于到达该构件上表面时停止。10.如申请专利范围第1项所述之绝缘体的形成方法,其中形成复数个构件步骤包括沉积一半导体或导体材料。11.如申请专利范围第1项所述之绝缘体的形成方法,其中形成复数个构件步骤包括形成多晶矽。12.如申请专利范围第1项所述之绝缘体的形成方法,其中沉积该绝缘体步骤包括沉积一氧化物。13.如申请专利范围第12项所述之绝缘体的形成方法,其中沉积该绝缘体步骤包括沉积高密度电浆(HDP)氧化物。14.如申请专利范围第1项所述之绝缘体的形成方法,其中将上述绝缘体由上述复数个构件的上表面移除步骤包括一化学机械研磨(CMP)制程。15.如申请专利范围第14项所述之绝缘体的形成方法,其中该CMP制程到达于该构件上表面时停止。16.如申请专利范围第1项所述之绝缘体的形成方法,其中降低上述构件至一高度,此高度与介于上述复数个构件间的绝缘体的高度共平面步骤包括研磨该复数个构件的上表面。17.如申请专利范围第16项所述之绝缘体的形成方法,其中研磨该复数个构件的上表面步骤包括一化学机械研磨(CMP)制程。18.如申请专利范围第17项所述之绝缘体的形成方法,其中该CMP制程到达介于该复数个构件间的该绝缘体上表面时停止。19.如申请专利范围第17项所述之绝缘体的形成方法,当研磨该复数个构件上表面时,其中该复数个构件上方部分被移除。20.如申请专利范围第1项所述之绝缘体的形成方法,其中该形成复数个构件步骤包括形成复数个单元。21.一种在半导体装置上形成绝缘体的方法,包括:提供一工作部件;沉积一材料层于上述工作部件上;图案化上述材料层以形成复数个构件,此复数个构件包括一第一高度且具有一上表面;沉积一绝缘体于上述复数个构件上与之间,其中该绝缘体形成峰状物于上述复数个构件的上表面上且该介于上数复数个构件间的绝缘体包括一第二高度,此第二高度小于上述第一高度;将上述绝缘体暴露于一键击制程或其它移除制程中,以移除一上述绝缘体峰状物的上方部分且降低介于上数复数个构件间的绝缘体的底二高度至一第三高度;将上述绝缘体由上述复数个构件的上表面移除;以及移除一上述复数个构件的上方部分。22.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中该第二高度低于该第一高度450埃。23.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中将该绝缘体暴露于该键击制程或其它移除制程步骤包括将绝缘体暴露于一氩气键击制程,一氩气物理键击制程为高密度电浆与射频偏压、一湿式蚀刻制程、一乾式蚀刻制程、一利用SiF4的化学蚀刻制程或一利用SiH4O2的化学蚀刻制程,且其中移除一上述复数个构件的上方部分步骤包括一停止在该绝缘层上的化学机械研磨(CMP)制程。24.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中该第三高度小于或等于该第一高度。25.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中该第三高度小于第二高度0~100埃。26.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中将上述绝缘体由上述复数个构件的上表面移除步骤包括一化学机械研磨(CMP)制程。27.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中该CMP制程于到达该构件上表面时停止。28.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中沉积该材料层步骤包括沉积一半导体或导体材料。29.如申请专利范围第28项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中沉积该材料层步骤包括况积多晶矽。30.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中沉积该绝缘体步骤包括沉积一氧化物。31.如申请专利范围第30项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中沉积该绝缘体步骤包括沉积高密度电浆(HDP)氧化物。32.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中移除该上述复数个构件的上方部分步骤包括研磨该上述复数个构件上表面。33.如申请专利范围第32项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中研磨该复数个构件的上表面步骤包括一化学机械研磨(CMP)制程。34.如申请专利范围第33项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中该化学机械研磨(CMP)制程于到达该绝缘体的第三高度时停止。35.如申请专利范围第33项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中该化学机械研磨(CMP)制程停止于该绝缘体上。36.如申请专利范围第21项所述之在半导体装置上形成绝缘体的方法,其中沉积该材料层包括沉积一导体材料,且其中形成该复数个构件包括形成复数个单元位于一阵列的导体材料中。37.一种半导体装置的导线的隔离方法,包括:提供一工作部件;沉积一材料层于上述工作部件上;图案化上述材料层以形成复数个单元,此复数个单元包括一第一高度、具有一上表面且位于一阵列中;沉积一高密度电浆(HDP)氧化物于上述复数个单元上与之间,其中该HDP氧化物形成峰状物于上述复数个单元的上表面上,其中该介于上数复数个单元间的HDP氧化物包括一第二高度,此第二高度小于上述第一高度;将上述HDP氧化物暴露于一键击制程或其它移除制程中,以移除一上述HDP氧化物峰状物的上方部分且降低介于上数复数个构件间的HDP氧化物的底二高度至一第三高度;以及利用一第一化学机械研磨(CMP)制程将上述HDP氧化物由上述复数个单元的上表面移除其中该第一CMP制程停止于该复数个单元上表面到达时。38.如申请专利范围第37项所述之半导体装置的导线的隔离方法,其中该第二高度低于该第一高度450埃。39.如申请专利范围第37项所述之半导体装置的导线的隔离方法,其中将该HDP氧化物暴露于该键击制程或其它移除制程步骤为将HDP氧化物暴露于一氩气键击制程,一氩气物理键击制程包括高密度电浆与射频偏压、一湿式蚀刻制程、一乾式蚀刻制程、一利用SiF4的化学蚀刻制程或一利用SiH4O2的化学蚀刻制程。40.如申请专利范围第37项所述之半导体装置的导线的隔离方法,其中该第三高度小于或等于该第一高度。41.如申请专利范围第37项所述之半导体装置的导线的隔离方法,其中该第三高度小于第二高度0~100埃。42.如申请专利范围第37项所述之半导体装置的导线的隔离方法,其中沉积该材料层步骤包括沉积多晶矽。43.如申请专利范围第37项所述之半导体装置的导线的隔离方法,尚包括以一第二CMP制程研磨该复数个单元上表面。44.如申请专利范围第43项所述之半导体装置的导线的隔离方法,其中该第二CMP制程于到达该HDP氧化物的第二高度时停止。45.如申请专利范围第43项所述之半导体装置的导线的隔离方法,其中一该复数单元的上方部分在该第二CMP制程中被移除。图式简单说明:第1图为一透视图,用以说明具有位于阵列或矩阵上之单元的半导体装置;第2~4图为一系列剖面图,用以说明习知技艺中介于半导体装置构件之绝缘层的形成方法;第5~8图为一系列剖面图,用以说明本发明实施例之绝缘层的形成方法;第9图为一流程图,用以说明本发明实施例的制造步骤。 |
