沉淀基板上的金属层的离子束处理方法

摘要

本发明涉及一种沉淀在基板(30)上的金属层(10)的离子束(100)处理方法，包括步骤：金属层(10)的厚度efrag在0.2nm至20nm之间；离子加速电压在10kV至1000kV之间；金属层(10)的温度小于或等于Tf/3；并且每个表面单位的离子剂量选自1012离子/cm2至1018离子/cm2的范围，以便破碎金属层(10)，从而在基板表面上产生纳米颗粒形式的金属沉淀物(40)，其最大厚度为0.2nm至20nm和最大宽度为0.2至100nm。

主权项

一种适用于沉淀在基板(30)上的金属层(10)的离子束处理(100)方法，其特征在于，包括所述金属层的破碎的步骤(a)，其中“破碎”是指使得材料层能够分裂从而产生该层所述材料的相互隔离的沉淀物的方法，这些沉淀物存在于基板的表面且由没有该层材料的基板区域所隔开：‑金属层(10)的厚度efrag在0.2nm至20nm(纳米)之间；‑离子束的离子选自下列表中的元素的离子：氦(He)、硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)；‑离子加速电压大于或者等于10kV且小于或等于1000kV；‑金属层(10)的温度小于或等于Tf/3，其中Tf为所述金属层(10)金属的熔化温度；‑每表面单位离子剂量的范围在1012离子/平方厘米至1018离子/平方厘米之间，以便破碎金属层(10)，从而在基板表面上形成纳米颗粒形态的金属沉淀物(40)，其最大的厚度在0.2nm至20nm之间和最大宽度在0.2至100nm之间。