一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了属于半导体技术领域的一种室温透明铁磁半导体材料及其制备方法。该室温透明铁磁半导体通过在具有内秉室温磁性的非晶材料基础上添加半导体功能元素制备新型铁磁半导体材料的技术思路制备。具体实施例采用磁控溅射法制备，得到半导体材料成分为Cox(BaFebTac)yO100-x-y,其中x,y为原子百分数，取值范围为：10≤x≤40,19≤y≤55，a＞b＞c，cy≥3。该材料为直接带隙半导体，光学带隙为～3.6eV，居里温度高于室温（约163摄氏度），兼具独特光学、电学、磁学特性于一体。制备工艺简单，是一种优异的磁光、光电、室温可操控电子自旋器件如自旋场效应管和自旋发光二极管等的备选材料。

主权项

一种室温透明铁磁半导体材料，其特征在于，所述室温透明铁磁半导体材料的成分为Cox(BaFebTac)yO100‑x‑y,其中x,y为原子百分数，取值范围为：10≤x≤40,19≤y≤55，a＞b＞c，cy≥3，具有室温透明铁磁特性，为非晶态结构，是一种集光学、电学、磁学特性于一体的半导体材料。