低K介电膜修复方法

摘要

一种用于修复低k介电膜层中的贫碳的低k材料的设备、系统及方法，包括确定含有烃基的修复化学制剂，该修复化学制剂配置为修复贫碳的低k材料，且将所确定的修复化学制剂弯月面应用于低k介电膜层，从而低k介电膜层中的贫碳的低k材料被充分暴露于该修复化学制剂弯月面而基本上修复低k材料。该修复后的低k材料显示出基本上等同的低k介电膜层的低k电介质特性。

主权项

一种用于修复基底的低k介电膜层中的贫碳的低k材料的设备，其包括：基底支撑机构，其接收和支撑该基底；临近头，其配置为接收并通过一个或多个喷嘴在该基底表面和该临近头的相对面之间应用气体化学制剂弯月面及通过真空口移除该气体化学制剂，该气体化学制剂容纳于覆盖至少部分该基底表面的区域内，该气体化学制剂弯月面的应用提供该基底表面各向同性暴露于该气体化学制剂，从而暴露于该气体化学制剂的该贫碳的低k材料被修复，该临近头面向该基底表面的相对表面的一部分延伸以限定部分壁，该部分壁提供腔，该腔中容纳一个或多个应用该气体化学制剂的喷嘴、通过该一个或多个喷嘴应用的该气体化学制剂和移除该气体化学制剂的真空口，其中至少一个喷嘴倾斜从而以在垂直于该基底表面和平行于该基底表面之间的角度应用该气体化学制剂，以便将该气体化学制剂导向限定在该临近头中心下方的气体应用区域，其中该气体化学制剂应用于该基底表面和该临近头表面之间的可控容积中，该可控容积建立该气体应用区域，其可控地在该基底表面上方移至不同位置，其中该临近头进一步包括不同的部分用以在该基底表面产生清洁化学制剂弯月面，使得清洁化学制剂可以去除在修复该贫碳的低k介电材料之前的一个或者多个制造操作所遗留的剩余物。