| 发明名称 | ONO结构的栅极侧墙的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种ONO结构的栅极侧墙的制作方法，包括：采用炉管原子层沉积工艺，在栅极两侧和顶部形成第一二氧化硅层；采用炉管原子层沉积工艺，在所述第一二氧化硅层上形成氮化硅层；采用炉管原子层沉积工艺，在所述氮化硅层上形成第二二氧化硅层，所述第二氧化硅层、氮化硅层、和第一氧化硅层形成ONO结构的栅极侧墙。本发明提高了ONO结构的栅极侧墙的均匀性和台阶覆盖率，提高了最终形成的半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103489768A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310432329.0 | 申请日期 | 2013.09.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 江润峰;戴树刚 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种ONO结构的栅极侧墙的制作方法，其特征在于，包括：采用炉管原子层沉积工艺，在栅极两侧和顶部形成第一二氧化硅层；采用炉管原子层沉积工艺，在所述第一二氧化硅层上形成氮化硅层；采用炉管原子层沉积工艺，在所述氮化硅层上形成第二二氧化硅层，所述第二氧化硅层、氮化硅层、和第一氧化硅层形成ONO结构的栅极侧墙的栅极侧墙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 | ||