DEPMOS晶体管及其形成方法

摘要

本发明提供了一种DEPMOS晶体管及其形成方法，所述DEPMOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的N阱；位于所述半导体衬底上的场氧化层；依次位于所述半导体衬底表面上的栅介质层和栅极，所述栅极具有相对的第一侧和第二侧；位于所述栅极第一侧和场氧化层之间的N阱中的漏端漂移区；位于所述栅极第二侧的N阱中的源区以及位于所述漏端漂移区中的漏区，其中，所述漏区与所述栅极第一侧和场氧化层之间具有间隔。本发明能够以较简单的方法较少或避免漏电问题。

主权项

一种DEPMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成N阱，在所述半导体衬底上形成场氧化层；在所述半导体衬底的表面上依次形成栅介质层和栅极，所述栅极具有相对的第一侧和第二侧；对所述栅极第一侧和场氧化层之间的N阱进行离子注入，形成漏端漂移区；形成光刻胶图形，所述光刻胶图形定义出源区和漏区的图形，所述源区的图形位于所述栅极第二侧的N阱中，所述漏区的图形位于所述漏端漂移区中且与所述栅极第一侧和场氧化层之间具有间隔；以所述光刻胶图形为掩膜进行离子注入，以在所述栅极第二侧的N阱中形成源区，在所述漏端漂移区中形成漏区。