发明名称 包括常闭和常开器件的共源共栅开关以及包括这样的开关的电路
摘要 描述了包括共源共栅布置的常闭半导体器件和常开半导体器件的开关。开关包括连接在常开器件的栅极与常闭器件的源极之间的电容器。开关还可以包括与电容器并行地连接在常开器件的栅极与常闭器件的源极之间的齐纳二极管。开关还可以包括反向串行布置在常闭器件的栅极与源极之间的一对齐纳二极管。还描述了包括多个常开和/或多个常闭器件的开关。常开器件能够是诸如SiC JFET的JFET。常闭器件能够是诸如Si MOSFET的MOSFET。常开器件能够是高电压器件并且常闭器件能够是低电压器件。还描述了包括开关的电路。
申请公布号 CN103493374A 申请公布日期 2014.01.01
申请号 CN201280017874.7 申请日期 2012.03.22
申请人 PI公司 发明人 N·斯普林格特
分类号 H03K17/687(2006.01)I;H03K17/74(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 吕俊刚;刘久亮
主权项 一种开关,所述开关包括:第一常开半导体器件,所述第一常开半导体器件包括栅极、源极和漏极;第一常闭半导体器件,所述第一常闭半导体器件包括栅极、源极和漏极;第一电容器;以及第一二极管;其中,所述第一常开半导体器件的源极连接到所述第一常闭半导体器件的漏极;其中,所述第一常开半导体器件的栅极经由第一电容器连接到所述第一常闭半导体器件的源极;并且其中,所述第一二极管与所述第一电容器并行地连接在所述第一常开半导体器件的栅极与所述第一常闭半导体器件的源极之间,其中,所述第一二极管的阴极连接到所述第一常开半导体器件的栅极并且所述第一二极管的阳极连接到所述第一常闭半导体器件的源极。
地址 美国加利福尼亚州