发明名称 应用于主从设备的通信装置
摘要 本实用新型公开了一种应用于主从设备的通信装置,包括:一个主设备、编号1至M的M个从设备和编号1至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET;且针对第i从设备,第2i-1个N沟道MOSFET的第一端分别与主设备的串行时钟线SCL接口和电阻R1的一端相连,第二端与第i从设备的SCL接口相连,第三端与主设备的第i使能控制接口相连;第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连,第二端与第i从设备的SDA接口相连,第三端与主设备的第i使能控制接口相连;电阻R1和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连。通过本实用新型中的应用于主从设备的通信装置,可以实现对于只具有一个TWI接口的主设备与多个地址相同的从设备进行通信。
申请公布号 CN203376749U 申请公布日期 2014.01.01
申请号 CN201320492553.4 申请日期 2013.08.13
申请人 杭州威力克通信系统有限公司 发明人 罗卫平
分类号 G06F13/40(2006.01)I 主分类号 G06F13/40(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王宝筠
主权项 一种应用于主从设备的通信装置,其特征在于,包括:一个主设备、编号1至M的M个从设备和编号1至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET;针对第i从设备,1≤i≤M:第2i‑1个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行时钟线SCL接口和电阻R1的一端相连,第二端与所述第i从设备的SCL接口相连,第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连;第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连,第二端与所述第i从设备的SDA接口相连,第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连;所述电阻R1和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连;其中,所述M、i均为自然数,所述SCL接口和SDA接口均属于两线式串行接口TWI,且所述第一直流电源为所述主设备的工作电源。
地址 310023 浙江省杭州市西湖区西溪路618号