| 发明名称 | 半导体器件中氧化层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件中氧化层的形成方法，包括下列步骤：在晶圆的有源区上形成氧化层；在所述氧化层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影处理后形成光刻胶阻挡层；以所述光刻胶阻挡层为掩膜，向所述有源区内进行离子注入；使用氢氟酸溶液对所述氧化层进行蚀刻。本发明采用稀氢氟酸溶液对氧化层进行蚀刻，由于稀氢氟酸溶液对硅的腐蚀速率较小，因此蚀刻过后不易在氧化层下的离子注入区域产生硅孔缺陷，提高了产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103489774A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201210193672.X | 申请日期 | 2012.06.12 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 陈亚威;屈亚东 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种半导体器件中氧化层的形成方法，包括下列步骤：在晶圆的有源区上形成氧化层；在所述氧化层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影处理后形成光刻胶阻挡层；以所述光刻胶阻挡层为掩膜，向所述有源区内进行离子注入；使用氢氟酸溶液对所述氧化层进行蚀刻。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||