| 发明名称 | 一种离子注入的阻挡层制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种离子注入阻挡层的制作方法，该方法在光刻胶上方加入光学敏感型顶部抗反射层，在曝光和显影形成光刻图案的步骤中，增加光刻胶曝光区域与光学敏感型顶部抗反射层接触部分的溶解度，在其侧壁顶端呈圆弧状的阻挡层，减轻了后续离子注入过程中由于离子注入角度造成的阴影效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103488045A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201210196951.1 | 申请日期 | 2012.06.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 胡华勇 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/09(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种离子注入阻挡层的制作其特征在于，该方法包括：在光刻胶上方加入光学敏感型顶部抗反射层，在曝光和显影形成光刻图案的步骤中，增加光刻胶曝光区域与光学敏感型顶部抗反射层接触部分的溶解度，在其侧壁顶端呈圆弧状的阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||