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经营范围
发明名称
印刷掺杂层
摘要
本发明系提供一种用以制造一电子装置,如一MOS电晶体,之方法,其包含在一介电功能性基板上形成多个半导体岛,在该等半导体岛之一第一子集上或上方印刷一第一介电层并且选择地在该等半导体岛之一第二子集上或上方印刷一第二介电层,并且进行退火处理。该第一介电层包含一第一掺杂物,并且该第二介电层包含一与该第一掺杂物不同之第二掺杂物。该等介电层、该等半导体岛以及该基板系充分地进行退火处理以将该第一掺杂物扩散进入该等半导体岛之该第一子集中,并且,当出现时,将该第二掺杂物扩散进入该等半导体岛之该第二子集中。
申请公布号
TW200818337
申请公布日期
2008.04.16
申请号
TW096130074
申请日期
2007.08.15
申请人
高菲欧股份有限公司
发明人
阿尔芬德 卡曼斯;詹姆斯 荸太古 克里维斯;乔格 洛肯博格;派崔克 史密斯;菲比欧 苏黎士
分类号
H01L21/336(2006.01)
主分类号
H01L21/336(2006.01)
代理机构
代理人
陈传岳;郭雨岚
主权项
地址
美国
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