| 发明名称 | 形成多晶硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成多晶硅薄膜的方法包括下列步骤。首先，提供一基底。然后，进行一加热处理。接着，进行一硅薄膜沉积工艺，用以直接在基底的上表面上形成一多晶硅薄膜。借此，具有缩短工艺时间、降低成本以及提高整体生产效率的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103489762A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201210238444.X | 申请日期 | 2012.07.10 |
| 申请人 | 胜华科技股份有限公司 | 发明人 | 黄显雄;王文俊;张恒毅;刘锦璋 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种形成多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底具有一上表面；进行一加热处理；以及进行一硅薄膜沉积工艺，用以直接在该基底的该上表面上形成一多晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||