发明名称 双电晶体NOR式非挥发性记忆体单元阵列与双电晶体NOR式非挥发性记忆体之资料处理方法
摘要 本发明提供一包括至少一单元的双电晶体(2T)NOR式单元阵列,以及一单元,其包含一选择电晶体和具有一电荷储存浮闸或者一电荷储存介电质的一储存电晶体,并且提供一双电晶体(2T)NOR式快闪记忆体单元的资料处理方法,该双电晶体NOR式快闪记忆体单元被用于一双电晶体NOR式单元阵列中储存资料、读取所储存的资料、和擦除所储存的资料。该双电晶体NOR式单元阵列包括一选择电晶体和一储存电晶体。该选择电晶体包括一连接至一位元线的接线端和载入一选择信号的闸电极接线端。储存电晶体包括一连接至选择电晶体的剩下一端的接线端,其另一个接线端连接至一共源极线,并且其一闸电极上载入一控制电压。当执行一编程处理的时候,一负偏压载入至选择电晶体和储存电晶体的体内区域,并且在储存电晶体的闸电极区域和体内区域之间提供一浮闸或者一电荷储存介电质。
申请公布号 TW200830541 申请公布日期 2008.07.16
申请号 TW096145012 申请日期 2007.11.27
申请人 崔雄林 发明人 崔雄林
分类号 H01L27/115(2006.01) 主分类号 H01L27/115(2006.01)
代理机构 代理人 洪尧顺
主权项
地址 韩国