| 发明名称 | 解决氮化硅和镍硅化物界面剥落问题的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种解决氮化硅和镍硅化物界面剥落问题的工艺方法，包括：第一步骤，在光刻胶上定义出MOS结构的栅极、源漏，在硅片上形成MOS结构的栅极和源漏；第二步骤，通过离子注入工艺对源漏进行离子注入；第三步骤，通过物理气相沉积，在源漏接触和多晶硅栅极界面沉积镍铂合金，进而形成镍硅化物，形成源漏接触和栅极接触；第四步骤，通过等离子体处理对镍硅化物进行表面处理；第五步骤，对镍硅化物接触的表面处理完成后紧接着通过等离子体化学气相沉积形成氮化硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103489825A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310432018.4 | 申请日期 | 2013.09.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 桑宁波;贺忻;雷通 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种解决氮化硅和镍硅化物界面剥落问题的工艺方法，其特征在于包括：第一步骤：在光刻胶上定义出MOS结构的栅极、源漏，在硅片上形成MOS结构的栅极和源漏；第二步骤：通过离子注入工艺对源漏进行离子注入；第三步骤：通过物理气相沉积，在源漏接触和多晶硅栅极界面沉积镍铂合金，进而形成镍硅化物，形成源漏接触和栅极接触；第四步骤：通过等离子体处理对镍硅化物进行表面处理；第五步骤：对镍硅化物接触的表面处理完成后紧接着通过等离子体化学气相沉积形成氮化硅薄膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 | ||