发明名称 |
一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
摘要 |
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可避免半色调掩模工艺的使用、简化工艺难度、节约成本。该制备方法包括通过一次构图工艺形成包括栅极的图案;在形成有包括栅极的图案的基板上形成栅绝缘层;通过一次构图工艺形成第一图案及其上方的第二图案;其中,第一图案与半导体有源层的图案对应,第二图案与源极和漏极对应;在形成有第二图案的基板上形成包括断开区域的图案层,断开区域与源极和漏极之间的间隙对应,其最小宽度大于源极和漏极之间的间隙的宽度,且至少将漏极露出;通过一次构图工艺至少形成包括源极和漏极的图案、以及通过断开区域与所述漏极电连接的像素电极。用于显示装置的制造。 |
申请公布号 |
CN103489876A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201310452517.X |
申请日期 |
2013.09.27 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
孙双 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L23/50(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括薄膜晶体管、像素电极、以及设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述像素电极之间的图案层;其中,所述图案层包括断开区域,所述断开区域与所述源极和所述漏极之间的间隙对应;所述断开区域的最小宽度大于所述源极和所述漏极之间的间隙的宽度,且所述断开区域至少将所述薄膜晶体管的漏极露出;所述像素电极与被所述断开区域露出的所述漏极电连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |