异质外延生长的氮化镓位错密度测定方法

摘要

本发明涉及氮化镓(GaN)异质外延生长材料的位错类型的观测和位错密度的测定方法，利用熔融氢氧化钾及氢氧化钾、氧化镁共熔物刻蚀结合扫描电子显微镜和原子力显微镜，直观观测氮化镓外延膜表面位错类型，分析研究不同类型位错的特性及分布和计算位错密度方法，本方法方便快捷、适用各种不同工艺生长的氮化物的分析测试。对不同氮化物样品均能研究其中不同类型位错的特性，获得各种位错在表面的分布，并且准确计算各种类型位错的密度及总位错密度。

主权项

异质外延生长的氮化镓位错密度测定方法，包括如下步骤：第1步、对异质外延生长的氮化镓外延膜进行清洗、干燥；第2步、将氢氧化钾和氧化镁的混合物置于镍材质的容器中，加热至熔融，取出镍材质的容器，将氮化镓样品浸入熔融的氢氧化钾和氧化镁混合物中，刻蚀；第3步、取出样品，用去离子水清洗，干燥；第4步、用扫描电子显微镜和原子力显微镜对腐蚀后的样品进行表征；螺位错位的形貌是：在样品表面为坑形，坑的外围呈六边形，坑中间凹陷底部为六边形平台；刃位错位的形貌是：在样品表面为坑形，坑的外围呈六边形，坑形状为倒置六角锥形； 混合型位错的形貌是：在样品表面为坑形，坑的外围呈六边形，坑中间存在一六边形平台，在平台中心是倒置六角锥；第5步、计算单位面积内的位错个数，得到位错密度。