| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括栅极、半导体层和绝缘层，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层由第一氧化硅薄膜和第二氧化硅薄膜组成，所述第二氧化硅薄膜与所述半导体层直接接触；其中，所述第二氧化硅薄膜的致密性大于所述第一氧化硅薄膜的致密性。第二氧化硅薄膜与半导体层之间形成良好界面，减少缺陷态，提高薄膜晶体管特性。本发明实施例还提供薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN103489920A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310446633.0 | 申请日期 | 2013.09.26 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、半导体层和与所述半导体层相邻的绝缘层，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层由第一氧化硅薄膜和第二氧化硅薄膜组成，所述第二氧化硅薄膜与所述半导体层直接接触；其中，所述第二氧化硅薄膜的致密性大于所述第一氧化硅薄膜的致密性。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||