一种双栅沟槽型肖特基器件结构及制造方法

摘要

本发明提供一种双栅沟槽型肖特基器件结构及制造方法，所述制造方法至少包括步骤：在低掺杂N型外延层中形成沟槽并在所述沟槽中填充满绝缘介质材料；刻蚀所述沟槽顶部的绝缘介质材料，形成开口；在所述开口侧壁生长第一薄氧化层，所述第一薄氧化层的厚度小于刻蚀后沟槽底部保留的绝缘介质材料的厚度；在所述开口中填满N型多晶硅，形成双栅MOS结构。本发明采用沟槽型双栅MOS结构作为肖特基器件的漏电保护环，即采用沟槽底部的绝缘介质材料和第一薄氧化层作为一栅氧化层、侧壁的第二薄氧化层作为另一栅氧化层，不同厚度的这两种栅氧化层，既可以提高击穿电压，又有利于缩小沟槽的宽度，降低器件正向导通面积，减小正向导通电压，从而优化器件性能。

主权项

一种双栅沟槽型肖特基器件结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括步骤：1）提供一高掺杂N型半导体衬底，于所述高掺杂N型半导体衬底上外延低掺杂N型外延层；2）刻蚀所述低掺杂N型外延层，形成至少一个沟槽，所述沟槽未穿透低掺杂N型外延层；3）在所述沟槽内壁生长第一薄氧化层，并在所述沟槽中填充满绝缘介质材料；4）刻蚀所述沟槽顶部的第一薄氧化层和绝缘介质材料，形成一开口，并在形成的开口侧壁生长第二薄氧化层，所述第二薄氧化层的厚度小于刻蚀后沟槽底部保留的绝缘介质材料与第一薄氧化层的厚度之和；5）在所述开口中填充满高掺杂的N型多晶硅，形成双栅MOS结构；6）在所述低掺杂N型外延层表面形成肖特基金属，所述肖特基金属与低掺杂N型外延层表面反应形成金属硅化物；7）在所述金属硅化物上形成正面电极，所述半导体衬底的背面形成背面电极，从而完成双栅沟槽型肖特基器件结构的基本制造。