| 发明名称 |
整合されたデバイスにおけるナノワイヤ回路 |
| 摘要 |
An inverter device includes a first nanowire connected to a voltage source node and a ground node, a first p-type field effect transistor (pFET) device having a gate disposed on the first nanowire, and a first n-type field effect transistor (nFET) device having a gate disposed on the first nanowire. |
| 申请公布号 |
JP5944377(B2) |
申请公布日期 |
2016.07.05 |
| 申请号 |
JP20130504905 |
申请日期 |
2011.03.22 |
| 申请人 |
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＭＡＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ |
发明人 |
バンサルンチップ、サルンヤ;コーエン、ガイ;マジュムダール、アムラン;スライト、ジェフリー、ダブリュー |
| 分类号 |
H01L21/8238;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L21/8244;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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