发明名称 |
包括多个垂直磁畴的磁性隧道结单元 |
摘要 |
本发明揭示一种包括多个垂直磁畴的磁性隧道结单元。所述MTJ单元包括多个垂直侧壁。所述多个垂直侧壁中的每一者界定一独特垂直磁畴。所述独特垂直磁畴中的每一者适于存储一数字值。在一实施例中,所述MTJ单元包含位于电极层(110、112、114、116)与中心电极(108)之间的固定磁性层(102)、隧道结层(104)及自由磁性层(106)。 |
申请公布号 |
CN102017128B |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN200980116357.3 |
申请日期 |
2009.03.09 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
李霞;升·H·康;朱晓春 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种磁性隧道结MTJ结构,其包含:包含多个垂直侧壁和耦合到所述多个垂直侧壁的底壁的MTJ单元,所述多个垂直侧壁中的每一者界定一独特垂直磁畴,所述独特垂直磁畴中的每一者适于存储一数字值。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |