一种超结MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种超结MOSFET器件及其制造方法，在第一导电类型漂移层内设置紧邻第二导电类型体区的第一导电类型的第一缓冲层及紧邻第二导电类型第二柱的第一导电类型的第二缓冲层；第二导电类型体区与第一导电类型漂移层被所述第一导电类型的第一缓冲层隔离，第二导电类型第二柱与第一导电类型第一柱被所述第一导电类型的第二缓冲层隔离；第一导电类型的第一缓冲层和第一导电类型的第二缓冲层的杂质浓度大于第一导电类型漂移层及第一导电类型第一柱的杂质浓度。本发明具有更优化的体二极管反向恢复特性，并且工艺简单，与现有超结MOSFET制造工艺兼容，适合量产要求。

主权项

一种超结MOSFET器件，其特征在于：在所述超结MOSFET器件的截面上，半导体基板具有相对应的第一主面与第二主面，所述半导体基板由相邻第一主面的第一导电类型漂移层和相邻第二主面的第二导电类型衬底组成；第一导电类型漂移层内包括多对具有第一导电类型的第一柱和具有第二导电类型的第二柱；所述第一柱与第二柱沿着电流流通方向在半导体基板的第一导电类型漂移层内延伸；在垂直电流流通的方向上，由所述第一柱和第二柱构成的多对PN柱交替设置，在半导体基板内形成超结结构；所述第一导电类型漂移层内设置有第二导电类型体区，所述第二导电类型体区与第二柱相连接，相邻的第二导电类型体区间通过第一导电类型漂移层隔离；第二导电类型体区内设置有第一导电类型源区；相邻第二导电类型体区之间的第一导电类型漂移层正上方设置有栅氧化层，所述栅氧化层与相应的第二导电类型体区及第一导电类型源区部分交叠；在栅氧化层上覆盖有导电多晶硅，所述导电多晶硅上设置有绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖于相应的导电多晶硅上并与相应的栅氧化层一起包覆导电多晶硅；相邻的绝缘介质层间设有源极引线孔，所述源极引线孔内填充有源极金属，所述源极金属与导电多晶硅间通过绝缘介质层隔离；所述第一导电类型漂移层内设置有紧邻第二导电类型体区的第一导电类型的第一缓冲层及紧邻第二柱的第一导电类型的第二缓冲层；第二导电类型体区与第一导电类型漂移层被所述第一导电类型的第一缓冲层隔离，第二柱与第一柱被所述第一导电类型的第二缓冲层隔离；第一导电类型的第一缓冲层和第一导电类型的第二缓冲层的杂质浓度大于第一导电类型漂移层及第一柱的杂质浓度；对于N型超结MOSFET器件，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；对于P型超结MOSFET器件，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。