| 发明名称 | 应用于气体传感器的原位还原法掺杂的敏感膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种应用于气体传感器的原位还原法掺杂的敏感膜的制备方法，该方法包括：在衬底上生长一定厚度的Sn；将生长有Sn的衬底浸入含有AgNO3、HAuCl4、H2PtCl6和Pd(NO3)2的溶液中；以及对浸入含有AgNO3、HAuCl4、H2PtCl6和Pd(NO3)2的溶液后的生长有Sn的衬底进行热氧化。利用本发明，掺杂后的敏感膜对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都有很大的改善，SnO2敏感膜的粘附性好，可控掺杂性好，而且一致性好，易于批量生产。并且，本发明具有制备方法简单，成本低，易于控制等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102816995B | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201210266804.7 | 申请日期 | 2012.07.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李冬梅;陈鑫;梁圣法;詹爽;谢常青;刘明 |
| 分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种应用于气体传感器的原位还原法掺杂的敏感膜的制备方法，其特征在于，该方法包括:在衬底上生长厚度在10‑5000nm之间的Sn;将生长有Sn的衬底浸入含有AgNO3、HAuCl4、H2PtCl6和Pd(NO3)2的溶液中;以及对浸入含有AgNO3、HAuCl4、H2PtCl6和Pd(NO3)2的溶液后的生长有Sn的衬底进行热氧化。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||