太阳能电池的制造方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池的制造方法。所述太阳能电池的制造方法，在硅晶片形成通孔，在所述通孔的内壁及连接所述通孔的所述晶片的前表面以及后表面上形成浅结发射极(shallow emitter)，用掺杂剂(dopant)进行重掺杂(heavy doping)而形成选择性发射极，以使沿着连接所述浅结发射极的所述通孔的方向的大部分区域具有一定以上的高密度。因此，本发明可以通过在镀金属穿孔卷绕(MWT)太阳能电池的、与具有一定宽度和高度的前表面电极接触的区域上实施激光掺杂或蚀刻，形成选择性发射极。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，其特征在于： 在硅晶片上形成通孔； 在所述通孔的内壁及连接所述通孔的所述晶片的前表面以及后表面上形成浅结发射极； 用掺杂剂进行重掺杂而形成从接触于所述晶片的所述前表面的浅结发射极向所述晶片的所述后表面突出的选择性发射极，以使沿着连接所述浅结发射极的所述通孔的方向的大部分区域具有一定密度。