一种平面型双向触发二极管芯片制造方法

摘要

一种平面型双向触发二极管芯片制造方法。涉及平面型双向触发二极管的制造方法。提供了一种确保漏电小、回弹电压高、品质稳定的同时，进一步减少工艺步骤，提高合格率的平面型双向触发二极管芯片制造方法。以厚度100-300μm的P型晶片为原料，在晶片表面生长氧化层、光刻扩散窗口和将晶片切割为芯片的工序，在所述光刻扩散窗口和将晶片切割为芯片的工序之间包括如下工序：1）扩散窗口下沉；2）磷扩散；3）去除表面反型层；4）高温驱进杂质并生长二氧化硅钝化膜层；5）光刻金属电极窗口；6）镀镍金；本发明的工艺可以采用较厚的硅片，进而可以减少碎片率，同时平面钝化结构保证了切割在划片道内，保证了电压的稳定及优良的高温特性。

主权项

一种平面型双向触发二极管芯片制造方法，以厚度100‑300μm的P型晶片为原料，在晶片表面生长氧化层、光刻扩散窗口和将晶片切割为芯片的工序，其特征在于，在所述光刻扩散窗口和将晶片切割为芯片的工序之间包括如下工序：1）扩散窗口下沉；在扩散窗口中注入混酸，对扩散窗口中的晶片表面进行腐蚀，腐蚀深度以所述晶片表面为基准面，下沉5~40μm；2）磷扩散；将上步骤制得的晶片清洗，再放入扩散炉中进行磷扩散；在晶片本体纵截面上形成N+、P、N+区域，同时在所述晶片本体氧化层表面下形成反型层；3）去除表面反型层；第一、去除上步骤制得晶片表面的氧化层；第二、去除所述晶片本体氧化层表面下形成反型层；由于步骤1）扩散窗口下沉，在前述第二步去除反型层时，所述下沉的扩散窗口会进一步下沉，形成下沉窗口；4）高温驱进杂质并生长二氧化硅钝化膜层；在1000‑1270℃环境下生长一层二氧化硅钝化膜层以保护PN+结；在此温度下，同时驱进磷杂质，推PN+结深至40‑80μm；由于均匀生长二氧化硅钝化膜层，在所述生长有二氧化硅钝化膜层的本体表面仍显现下沉窗口轮廓；5）光刻金属电极窗口；沿所述下沉窗口轮廓，进行金属电极窗口光刻；在晶片表面形成金属电极窗口；6）镀镍金；在金属电极窗口底面镀上镍金层，作为金属电极。