发明名称 等离子体处理装置及等离子体处理方法
摘要 一种等离子体处理装置及等离子体处理的方法,其中,所述等离子体处理装置包括:设置于反应腔顶部的若干呈同心分布的多个电感耦合线圈,用于将反应腔内的气体等离子体化,所述电感耦合线圈与所述承片台相对;若干射频功率源,用于分别向电感耦合线圈提供脉冲式射频信号;至少连接到所述第一射频功率源和第二射频功率源的控制单元,所述控制单元用于控制第一射频功率源和第二射频功率源输出的射频功率在高功率输出和低功率输出之间切换形成脉冲式射频信号,且所述低功率输出大于零,所述控制单元使第一射频功率源和第二射频功率源输出的脉冲式射频功率均独立可调。所述等离子体处理装置中的等离子体分布更均匀,等离子体处理的效果更好。
申请公布号 CN103476196A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310436399.3 申请日期 2013.09.23
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 叶如彬;倪图强
分类号 H05H1/46(2006.01)I 主分类号 H05H1/46(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:反应腔;位于所述反应腔内的承片台,所述承片台用于放置待处理基底;设置于所述反应腔顶部的若干呈同心分布的多个电感耦合线圈,所述电感耦合线圈用于将反应腔内的气体等离子体化,所述电感耦合线圈与所述承片台相对,所述多个电感耦合线圈中包括第一电感耦合线圈、以及位于所述第一电感耦合线圈内一圈的第二电感耦合线圈,所述第一电感耦合线圈包围所述第二电感耦合线圈;若干射频功率源,所述若干射频功率源用于分别向电感耦合线圈提供脉冲式射频信号,所述若干射频功率源中包括第一射频功率源和第二射频功率源,第一射频功率源与第一电感耦合线圈连接,第二射频功率源与第二电感耦合线圈连接;至少连接到所述第一射频功率源和第二射频功率源的控制单元,所述控制单元用于控制第一射频功率源和第二射频功率源输出的射频功率在高功率输出和低功率输出之间切换形成脉冲式射频信号,且所述低功率输出大于零,其中第一射频功率源输出第一脉冲式射频功率,第二射频功率源输出第二脉冲式射频功率,且所述控制单元使第一射频功率源和第二射频功率源输出的脉冲式射频信号独立可调。
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号