发明名称 |
氮化镓基发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开一种氮化镓基发光二极管,涉及LED芯片技术领域。该二极管包括衬底、依次层叠在衬底上的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层,依次层叠的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层共同蚀刻有一台阶,该台阶的低端设有n电极,该台阶的高端层叠有一电流扩散层,电流扩散层的中部设有蚀空,该电流扩散层的蚀空上方设有p电极,n电极和p电极均包括依次层叠的欧姆接触层、阻挡层和压焊层,该压焊层的材料为镁铝合金。本实用新型压焊层以镁铝合金为组成材料,降低了氮化镓基发光二极管的制作成本,增强了电极稳定性和牢固性。 |
申请公布号 |
CN203367342U |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201320447686.X |
申请日期 |
2013.07.25 |
申请人 |
华灿光电股份有限公司 |
发明人 |
邓小强;张建宝 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
徐立 |
主权项 |
一种氮化镓基发光二极管,包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n‑GaN层、量子阱层和p‑GaN层,依次层叠的所述n‑GaN层、所述量子阱层和所述p‑GaN层共同蚀刻有一台阶,所述台阶的低端设有n电极,所述台阶的高端层叠有一电流扩散层,所述电流扩散层的中部设有蚀空,所述电流扩散层的蚀空上方设有p电极,所述n电极和所述p电极均包括依次层叠的欧姆接触层、阻挡层和压焊层,其特征在于,所述压焊层的材料为镁铝合金。 |
地址 |
430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 |