一种LED芯片的无损切割方法

摘要

本发明公开了一种用ICP干法刻蚀代替传统镭射切割的LED芯片无损切割方法；首先在COW的表面沉积4μm～5μm的高致密SiO2作为掩模，然后利用负胶根据COW上芯粒之间的切割道位置，曝光显影出4μm～5μm的线宽，接着利用湿法刻蚀，将无胶体保护区域的SiO2刻蚀干净，随后将去胶后的产品送至ICP进行干法刻蚀，最后将SiO2后的COW送至后段进行劈裂，从而将LED芯片分离成每一颗独立的芯粒；本工艺具有简单可行，对LED芯粒无结构损伤，既满足后段劈裂的工艺要求，又不使LED芯粒的亮度收到损伤，具有较强的实用性。

主权项

一种LED芯片的无损切割方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将LED芯片的前制程半成品COW研磨至75μm～85μm，同时在COW表面沉积4μm～5μm的高致密SiO2作为掩模；（2）ICP干法刻蚀：用高粘附性负胶做为光罩转移载体，根据COW正面芯粒之间的切割道位置，显影出4μm～5μm的线宽；（3）利用BOE溶液对显影后的产品进行湿法刻蚀，刻蚀时间为160s；（4）将刻蚀完的SiO2表面的胶体去除，同时利用ICP进行干法刻蚀，刻蚀时间为600s；（5）利用BOE将SiO2刻蚀干净后，再送至劈裂站，从COW的背面进行劈裂。