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<p>레지스트에 필요한 투명성이나 산반응성을 손상시키는 일 없이, 레지스트 기재 수지의 고굴절률화에 유용한 티오피란 유도체, 상기 티오피란 유도체를 구성 성분으로 하는 중합체, 및 상기 중합체를 포함하는 레지스트 조성물, 및, 상기 레지스트 조성물을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 티오피란 유도체는 하기 일반식 (1)로 나타내는 구조를 갖는다. [화학식 1][일반식 (1)] 상기 일반식 (1)에서, X는, O 및 S 중 어느 하나를 나타내고, R₁은, -H기, -CH₃기, 탄소수 2∼4의 알킬기, 티오에테르기, 및 케톤기 중 어느 하나를 나타내며, R₂는, -H기, -CH₃기, 및 트리플루오로메틸기 중 어느 하나를 나타내고, R₁ 및 R₂는, 동일하여도 달라도 좋다.</p> |
