增强式高电子移动率电晶体及其制造方法

摘要

本发明揭示一种增强式高电子移动率电晶体及其制造方法，其包括：一缓冲层，磊晶于一基板上；一源级及汲级，形成于该缓冲层上；复数个P-N接面，其系由多层堆叠之P-N接面形成于该缓冲层上、及该源级与汲级之间；及一闸极，形成于该等P-N接面之堆叠上；其中该P-N接面系由一P型及一N型半导体层所构成。