封闭型沟槽式功率金氧半场效电晶体结构及其制作方法

摘要

一种封闭型沟槽式金氧半场效电晶体结构，具有一第一导电型之汲极区、一第二导电型之本体、一沟槽式闸极与复数个具有第一导电型之源极区。本体系位于汲极区上。沟槽式闸极系位于本体内，并具有至少二长条部分与一交错部分，其中，长条部份之底部系位于汲极区内，交错部份之底部系位于本体内。源极区系位于本体内，并且至少邻接于沟槽式闸极之长条部份。