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发明名称
半导体装置及该半导体装置之制造方法
摘要
本发明系提供一种半导体装置,其可提高光电二极体之光灵敏度、并且可提高良率,以及该半导体装置之制造方法。于形成有光电二极体之基板之上表面形成树脂层后,去除光电二极体上之树脂层以使光电二极体之受光区域之表面露出,之后,将使受光区域之表面已露出之光电二极体装填于模具内,自光电二极体之端缘下部侧向该模具内填充模塑树脂而制造半导体装置时,于使受光区域露出之步骤中,去除受光区域外周上的树脂层,于树脂层上形成包围受光区域外周之包围槽。
申请公布号
TWI420677
申请公布日期
2013.12.21
申请号
TW098105683
申请日期
2009.02.23
申请人
新力股份有限公司 日本
发明人
米田修二;大石正人;筱原保;渡边信二;宫田浩司;深江诚二;山内健二;后藤阳一;马场雅和
分类号
H01L31/0232;H01L31/0236
主分类号
H01L31/0232
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
日本
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