发明名称 SYSTEM UND VERFAHREN FÜR GEBOOSTETE SCHALTER
摘要 Gemäß einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren die Aktivierung eines ersten Halbleiterschalters mit einem an einen ersten Eingang einer Bootstrapschaltung gekoppelten ersten Schaltknoten, einem zweiten Schaltknoten und einem an ein erstes Ende eines Kondensators der Bootstrapschaltung gekoppelten Steuerungsknoten. Ein erstes Ende des Kondensators wird an den ersten Eingang der Bootstrapschaltung gekoppelt und ein zweites Ende des Kondensators wird auf eine erste Spannung gesetzt. Als Nächstes wird das erste Ende des Kondensators vom ersten Eingang der Bootstrapschaltung entkoppelt, und das zweite Ende des Kondensators wird auf eine zweite Spannung gesetzt. Der Steuerungsknoten wird auf eine den ersten Halbleiterschalter einschaltende erste Aktivierungsspannung erhöht.
申请公布号 DE102013211551(A1) 申请公布日期 2013.12.19
申请号 DE201310211551 申请日期 2013.06.19
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 CEBALLOS, JOSE LUIS;REINDL, CHRISTIAN
分类号 H03F3/45 主分类号 H03F3/45
代理机构 代理人
主权项
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