| 发明名称 | 用于射频应用的绝缘型衬底上的半导体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于射频应用的绝缘型衬底上的半导体的制造方法，依次包括下面的步骤：（a）准备电阻率大于500Ohm.cm的硅衬底（1），（b）在所述衬底（1）上形成多晶硅层（4），所述方法在步骤a）和步骤b）之间包括在衬底（1）上形成介电材料层（5）的步骤，介电材料层（5）不同于自然氧化层，厚度在0.5nm和10nm之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103460371A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201280014148.X | 申请日期 | 2012.03.22 |
| 申请人 | SOITEC公司;原子能和能源替代品委员会 | 发明人 | F·阿利贝尔;J·维迪耶 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于射频应用的绝缘型衬底上的半导体的制造方法，依次包括下面的步骤：（a）准备电阻率大于500Ohm.cm的硅衬底（1），（b）在所述衬底（1）上形成多晶硅层（4），所述方法的特征在于，在步骤a）和步骤b）之间包括在衬底（1）上形成介电材料层（5）的步骤，所述介电材料层（5）不同于自然氧化层，厚度在0.5nm和10nm之间。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||