| 发明名称 | 用于磁共振成像系统的平直化梯度线圈 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于磁共振成像系统的平直化梯度线圈。具体而言，披露了包括主线圈(12)的梯度线圈(10)。主线圈(12)包括上侧主线圈部分(24)与下侧主线圈部分(26)，下侧主线圈部分(26)在横截面上比上侧主线圈部分(24)的弯曲度更小。梯度线圈(10)还包括设置在主线圈(12)外侧的屏蔽线圈(14)。屏蔽线圈(14)包括上侧屏蔽线圈部分(42)与下侧屏蔽线圈部分(44)，下侧屏蔽线圈部分(44)在横截面上比上侧屏蔽线圈部分(42)的弯曲度更小。 | ||
| 申请公布号 | CN102090891B | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201010604219.4 | 申请日期 | 2010.12.15 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | T·J·霍尔里斯;N·克拉克;C·M·西雷;B·C·C·艾姆;M·B·塞勒斯 |
| 分类号 | A61B5/055(2006.01)I;G01R33/385(2006.01)I | 主分类号 | A61B5/055(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 严志军;谭祐祥 |
| 主权项 | 一种用于磁共振成像系统的梯度线圈，所述梯度线圈包括主线圈和设置在所述主线圈外侧的屏蔽线圈，其特征在于：所述主线圈包括上侧主线圈部分与下侧主线圈部分，所述下侧主线圈部分在横截面上比所述上侧主线圈部分的弯曲度更小；以及所述屏蔽线圈包括上侧屏蔽线圈部分与下侧屏蔽线圈部分，所述下侧屏蔽线圈部分在横截面上比所述上侧屏蔽线圈部分的弯曲度更小。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||