发明名称 一种大电流场效应管
摘要 本实用新型公开了一种大电流场效应管,包括热沉、绝缘外壳、场效应管芯片、漏极引脚、栅极引脚及源极引脚;热沉嵌在绝缘外壳的外表面上并与绝缘外壳构成一密闭的封装腔体,热沉与漏极引脚连为一体,漏极引脚的根部、栅极引脚的根部及源极引脚的根部固定在绝缘外壳上并伸入封装腔体内;场效应管芯片设置在热沉的正面中间处,场效应管芯片的漏极直接贴装在热沉上,场效应管芯片的栅极通过第一金线与栅极引脚连接,场效应管芯片的源极通过第二金线与源极引脚连接。本实用新型散热效果好,工作效率高,而且使用寿命长,可广泛应用在半导体行业中。
申请公布号 CN203351579U 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201320402190.0 申请日期 2013.07.05
申请人 广州成启半导体有限公司 发明人 黎国伟
分类号 H01L23/367(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人 谭英强
主权项 一种大电流场效应管,其特征在于,包括热沉(1)、绝缘外壳(2)、场效应管芯片(3)、漏极引脚(4)、栅极引脚(5)及源极引脚(6);所述热沉(1)嵌在绝缘外壳(2)的外表面上并与绝缘外壳(2)构成一密闭的封装腔体,所述热沉(1)与漏极引脚(4)连为一体,所述漏极引脚(4)的根部、栅极引脚(5)的根部及源极引脚(6)的根部固定在绝缘外壳(2)上并伸入封装腔体内;所述场效应管芯片(3)设置在热沉(1)的正面中间处,所述场效应管芯片(3)的漏极直接贴装在热沉(1)上,所述场效应管芯片(3)的栅极通过第一金线(7‑1)与栅极引脚(5)连接,所述场效应管芯片(3)的源极通过第二金线(7‑2)与源极引脚(6)连接。
地址 510630 广东省广州市高新技术产业开发科学城彩频路广东软件科学园D栋102
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