发明名称 半导体装置和显示装置
摘要 本发明的半导体装置(100)具有二极管元件(10)。二极管元件(10)具有:与薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极(3);氧化物半导体层(5);和与薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成,并且与氧化物半导体层(5)接触的第二电极(6)和第三电极(7)。氧化物半导体层(5)在第一电极(3)与第二电极(6)之间、以及第一电极(3)与第三电极(7)之间分别具有偏置区域(19)。
申请公布号 CN103460391A 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201280016326.2 申请日期 2012.04.02
申请人 夏普株式会社 发明人 原义仁;中田幸伸
分类号 H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种半导体装置,其具有:绝缘基板;在所述绝缘基板上形成的多个配线;多个薄膜晶体管;和多个二极管元件,该多个二极管元件各自将所述多个配线中的2条配线相互电连接,所述半导体装置的特征在于:所述多个二极管元件各自具有:与所述薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极;在所述第一电极上形成的氧化物半导体层;和与所述薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成,并且与所述氧化物半导体层接触的第二电极和第三电极,所述氧化物半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间、以及所述第一电极与所述第三电极之间分别具有偏置区域,在从所述绝缘基板的法线方向看时,所述偏置区域与所述第一电极不重叠。
地址 日本大阪府