发明名称 |
半导体装置和显示装置 |
摘要 |
本发明的半导体装置(100)具有二极管元件(10)。二极管元件(10)具有:与薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极(3);氧化物半导体层(5);和与薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成,并且与氧化物半导体层(5)接触的第二电极(6)和第三电极(7)。氧化物半导体层(5)在第一电极(3)与第二电极(6)之间、以及第一电极(3)与第三电极(7)之间分别具有偏置区域(19)。 |
申请公布号 |
CN103460391A |
申请公布日期 |
2013.12.18 |
申请号 |
CN201280016326.2 |
申请日期 |
2012.04.02 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
原义仁;中田幸伸 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种半导体装置,其具有:绝缘基板;在所述绝缘基板上形成的多个配线;多个薄膜晶体管;和多个二极管元件,该多个二极管元件各自将所述多个配线中的2条配线相互电连接,所述半导体装置的特征在于:所述多个二极管元件各自具有:与所述薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极;在所述第一电极上形成的氧化物半导体层;和与所述薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成,并且与所述氧化物半导体层接触的第二电极和第三电极,所述氧化物半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间、以及所述第一电极与所述第三电极之间分别具有偏置区域,在从所述绝缘基板的法线方向看时,所述偏置区域与所述第一电极不重叠。 |
地址 |
日本大阪府 |