| 发明名称 | 一种Nand-flash 存储器写操作的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种Nand-flash存储器写操作的方法和装置，其中所述的方法，包括：接收写操作指令，所述写操作指令中包括目标数据和目标地址；根据所述目标地址将需要执行写操作的page数据读取到缓存器中；将所述目标数据和page数据更新生成目标page数据；对存储所述page数据所在的存储阵列进行擦除，将目标page数据编写到所述存储阵列中；对所述目标page数据进行ECC检测。本申请能够防止所述Nand-flash写操作产生的数据错误，提高所述Nand-flash写操作的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103455427A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201210170506.8 | 申请日期 | 2012.05.28 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 苏志强;张现聚;刘奎伟;丁冲 |
| 分类号 | G06F12/02(2006.01)I;G06F11/08(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人 | 赵娟 |
| 主权项 | 一种Nand‑flash存储器写操作的方法，其特征在于，所述Nand‑flash中包括存储阵列；所述的方法，包括：接收写操作指令，所述写操作指令中包括目标数据和目标地址；根据所述目标地址将需要执行写操作的page数据读取到缓存器中；将所述目标数据和page数据更新生成目标page数据；对存储所述page数据所在的存储阵列进行擦除，将目标page数据编写到所述存储阵列中；对所述目标page数据进行ECC检测。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A12层 | ||