发明名称 | 用于更新无源可变电阻式存储器中的数据的方法和装置 | ||
摘要 | 提供了用于更新无源可变电阻式存储器(PVRM)中的数据的方法和装置。在一个实例中,公开了用于更新被存储在PVRM中的数据的方法。所述方法包括在没有使存储器块无效的情况下,更新高速缓存层次结构中多个存储器块的存储器块。所述更新后的存储器块可以被从所述高速缓存层次结构复制到直写缓冲器。此外,所述方法包括将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM,从而更新所述PVRM中的数据。 | ||
申请公布号 | CN103460198A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
申请号 | CN201280015516.2 | 申请日期 | 2012.04.04 |
申请人 | 超威半导体公司 | 发明人 | 布拉德·贝克曼;莉萨·徐 |
分类号 | G06F12/08(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/08(2006.01)I |
代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
主权项 | 一种装置,其包括:包括多个存储器块的高速缓存层次结构;被可操作连接到所述高速缓存层次结构的直写缓冲器;被可操作连接到所述直写缓冲器的无源可变电阻式存储器(PVRM);以及被可操作连接到所述高速缓存层次结构的处理器,所述处理器在没有使存储器块无效的情况下,可操作更新所述高速缓存层次结构中的多个存储器块的所述存储器块,其中所述高速缓存层次结构可操作将更新后的存储器块复制到所述直写缓冲器,作为对所述处理器更新所述存储器块的响应,并且其中所述直写缓冲器可操作将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |