发明名称 |
一种透明导电氧化物膜层的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种透明导电氧化物膜层的制备方法,在基板上形成透明导电氧化物膜层;对透明导电氧化物膜层进行第一次退火处理;对经过第一次退火处理后的透明导电氧化物膜层进行第二次退火处理。由于增加了对透明导电氧化物膜层的第二次退火处理,使得透明导电氧化物膜层中过量的氧原子、膜层表面残留的氧原子以及其它杂质气体原子释放到退火环境中,可以降低透明导电氧化物膜层的方阻,提高透明导电氧化物膜层的导电能力。并且,第二次退火处理也可以使透明导电氧化物膜层中过量的低价氧化物得到充分氧化,形成具有理想化学配比结构的氧化物,从而提高透明导电氧化物膜层的光透过率。 |
申请公布号 |
CN103451618A |
申请公布日期 |
2013.12.18 |
申请号 |
CN201310356669.X |
申请日期 |
2013.08.15 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
赵冉;唐华 |
分类号 |
C23C14/58(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/58(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种透明导电氧化物膜层的制备方法,其特征在于,包括:在基板上形成透明导电氧化物膜层;对所述透明导电氧化物膜层进行第一次退火处理;对经过第一次退火处理后的所述透明导电氧化物膜层进行第二次退火处理。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |