栅控二极管、电池充电组件和发电机组件

摘要

本发明涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。

主权项

一种栅控二极管，包括：第一导电类型的源极区域和漏极区域，该源极区域直接毗邻第一表面并且该漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面，该漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域；与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域，该基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间；并且其中该漏极区域包括多个调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域其中之一且分别布置在相应基极区域和该第二表面之间，并且具有的净掺杂剂浓度为在毗邻调节区域的漂移区域的部分中的净掺杂剂浓度的至少两倍。