CMOS器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种CMOS器件及其制造方法，首先仅在PMOSFET区上形成SiGe层，然后依次形成高K介质层、金属栅极层以及硅盖帽层并刻蚀以获得NMOSFET区和PMOSFET区的金属栅极堆叠结构，通过SiGe层调节PMOSFET的阈值电压与NMOSFET不同；进一步的，通过所述NMOSFET和/或PMOSFET的金属栅极堆叠结构中电荷捕获层捕获和存储从高K介质层通过的电荷，实现NMOSFET和/或PMOSFET在低功率工作状态下的阈值电压自我调节功能。

主权项

一种CMOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOSFET区和PMOSFET区；形成仅覆盖在PMOSFET区上的SiGe层；在所述NMOSFET区和PMOSFET区表面依次沉积高K介质层、金属栅极层以及硅盖帽层；依次刻蚀所述硅盖帽层、金属栅极层以及高K介质层，形成NMOSFET区和PMOSFET区的金属栅极堆叠结构。