| 发明名称 | PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合 | ||
| 摘要 | 本发明涉及PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合，提供一种具有PMOS嵌入式硅锗源极/漏极区的高介电常数金属栅极(HKMG)装置。本发明的实施例包含形成第一及第二HKMG栅极堆栈于基板上，该堆栈各自包含有二氧化硅盖、形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、形成氮化物衬垫以及氧化物衬垫于HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、移除该硬掩模、形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的氧化物间隔上，以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧。 | ||
| 申请公布号 | CN103456693A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201310205234.5 | 申请日期 | 2013.05.29 |
| 申请人 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | 发明人 | J·亨治尔;S·Y·翁;S·弗莱克豪斯基;T·沙伊普 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成第一及第二高介电常数金属栅极(HKMG)栅极堆栈于基板上，各个HKMG栅极堆栈是包含二氧化硅(SiO2)盖；形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧；形成氮化物衬垫以及氧化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗(eSiGe)于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧；移除该硬掩模；形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的该氧化物间隔上；以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||