微波处理半导体基板的设备和方法

摘要

提供了使用微波能或毫米波能辐射处理半导体基板的方法和设备。微波能或毫米波能可具有在约600MHz和约1THz之间的频率。来自磁控管的交流电流被耦合至具有内导体和外导体的漏泄微波发射体，所述外导体具有尺寸小于所发射辐射的波长的开口。内导体和外导体被绝缘材料隔开。由微波发射产生的干涉图案可通过调相到发射体的功率和/或通过调频功率自身的频率来均匀化。来自单个发生器的功率可被功率分配器分配到两个或更多个发射体。

主权项

一种用于处理半导体基板的腔室，包含：热能源，所述热能源被布置在所述腔室中；微波能源，所述微波能源被布置在所述腔室中；和基板支持件，所述基板支持件被布置在所述热能源和所述微波能源之间。