发明名称 |
一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法 |
摘要 |
一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点,我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透镜,使其构成复合腔结构,可以有效提高垂直腔面发射激光器的光束质量。本方法操作简单,原料基本无毒,可控性较好。 |
申请公布号 |
CN103454703A |
申请公布日期 |
2013.12.18 |
申请号 |
CN201310413275.3 |
申请日期 |
2013.09.12 |
申请人 |
长春理工大学 |
发明人 |
刘国军;单少杰;郝永芹;魏志鹏;冯源;李特;安宁;周路;罗扩郎;陈芳;何斌太;刘鹏程 |
分类号 |
G02B3/00(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I |
主分类号 |
G02B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,其特征在于采用酸、高锰酸钾、去离子水配制成的腐蚀液对GaAs基材料进行刻蚀,来得到一定曲率半径的GaAs微透镜。 |
地址 |
130022 吉林省长春市7089号 |