发明名称 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法
摘要 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点,我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透镜,使其构成复合腔结构,可以有效提高垂直腔面发射激光器的光束质量。本方法操作简单,原料基本无毒,可控性较好。
申请公布号 CN103454703A 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201310413275.3 申请日期 2013.09.12
申请人 长春理工大学 发明人 刘国军;单少杰;郝永芹;魏志鹏;冯源;李特;安宁;周路;罗扩郎;陈芳;何斌太;刘鹏程
分类号 G02B3/00(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I 主分类号 G02B3/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,其特征在于采用酸、高锰酸钾、去离子水配制成的腐蚀液对GaAs基材料进行刻蚀,来得到一定曲率半径的GaAs微透镜。
地址 130022 吉林省长春市7089号