发明名称 晶片切割装置以及半导体元件的制造方法
摘要 本发明提供一种晶片切割装置以及半导体元件的制造方法,不仅能抑制切削液的消耗,而且在使切割休止状态的旋转刀成为切割状态时,能够抑制切割位置的偏移。当第一切割单元处于切割状态且第二切割单元处于切割休止状态时,在由计数部件(34)计算出的剩余切割次数达到预定次数以前,控制部(84)使切削液停止从构成第二喷出单元(64)的各喷出管喷出,在剩余切割次数达到预定次数之后,控制部(84)使切削液从第二喷出单元(64)喷出。在使用第二切割单元切割半导体晶片时,由于刀片(56)的温度在预先确定的范围内,因此不仅能够抑制切削液的消耗,而且在使处于切割休止状态的第二切割单元成为切割状态时,能够抑制切割位置的偏移。
申请公布号 CN103448151A 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201310166053.6 申请日期 2013.05.08
申请人 富士施乐株式会社 发明人 堀恭彰;其他发明人请求不公开姓名
分类号 B28D5/02(2006.01)I 主分类号 B28D5/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 党晓林;王小东
主权项 一种晶片切割装置,其具备:第一旋转刀,其以预先确定的总切割次数一边旋转一边对固定于固定台的半导体晶片进行切割;第二旋转刀,在所述第一旋转刀以所述总切割次数切割了所述半导体晶片之后,所述第二旋转刀一边旋转一边对固定于所述固定台的所述半导体晶片进行切割;第一喷出部件,在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时,所述第一喷出部件朝向所述第一旋转刀喷出切削液;第二喷出部件,其用于朝向所述第二旋转刀喷出切削液;计数部件,在所述第一旋转刀切割所述半导体晶片时,所述计数部件计算相对于所述总切割次数剩余的剩余切割次数或者计算所述第一旋转刀已经切割了所述半导体晶片的已切割次数;以及控制部件,其控制切削液从所述第二喷出部件的喷出,在由所述计数部件计算出的所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到预定次数以前,所述控制部件使切削液停止从所述第二喷出部件喷出,在所述剩余切割次数或者所述已切割次数达到了预定次数之后,所述控制部件使切削液从所述第二喷出部件喷出。
地址 日本东京都