与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法

摘要

本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的掺杂注入完成后，采用刻蚀工艺对PNP区域的基区的硅表面进行处理，使PNP区域的基区的硅表面的晶格结构被破坏；在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN区域和PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层。本发明方法通过对PNP区域的基区的硅表面进行刻蚀处理，能使PNP区域的基区的硅表面变成非晶结构，能使后续在PNP区域形成的锗硅层为非晶结构，有利于在对PNP三极管发射区注入离子的扩散，从而能提高PNP三极管的发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系统，并能增加器件的截止频率。

主权项

一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，其特征在于，包括如下步骤：硅衬底分为形成NPN三极管的NPN区域和形成PNP三极管的PNP区域，在所述PNP区域的N型基区的掺杂注入完成后，采用刻蚀工艺对所述PNP区域的所述基区的硅表面进行处理，使所述PNP区域的所述基区的硅表面的晶格结构被破坏；在所述NPN区域的N型集电区形成后，在所述NPN区域和所述PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层；所述锗硅层在所述PNP区域为多晶结构，多晶硅结构的所述锗硅层用于形成所述PNP三极管的发射区；所述锗硅层在所述NPN区域为单晶结构，单晶结构的所述锗硅层用于形成所述NPN三极管的基区；形成浅槽场氧的隔离工艺，形成所述浅槽场氧需要先采用刻蚀工艺在P型硅衬底上形成有源区和浅沟槽；再在所述浅沟槽中填入氧化硅形成；在所述PNP区域中还包括形成N型深阱的工艺；以及形成所述N型深阱的引出结构的步骤，包括在所述浅沟槽底部形成N型埋层的步骤，所述N型埋层是在所述浅沟槽形成后填入氧化硅前通过N型离子注入形成的；以及在所述N型埋层上的浅槽场氧中形成深孔、并在所述深孔中填入金属形成深孔接触的步骤；在所述PNP区域中还包括形成所述PNP三极管的集电区的步骤，所述集电区是在所述浅槽场氧形成后，进行P型离子注入形成的；以及形成P型埋层的步骤，所述P型埋层是在所述浅沟槽形成后填入氧化硅前进行P 型离子注入形成的，以及在所述P型埋层上的浅槽场氧中形成深孔的步骤，以及在所述深孔中填入金属形成深孔接触的步骤；对所述PNP区域的所述基区的硅表面进行刻蚀处理时，采用所述PNP区域的N型基区的掺杂注入时的光刻胶图形来选定刻蚀区域；所述刻蚀处理完毕后，再去除所述光刻胶图形。