发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体装置,形成至少一磊晶结构于基板上。切割并剥离基板的一部分,以曝露磊晶结构的部分表面。接着,形成第一电极于磊晶结构的曝露表面,因而形成垂直式半导体装置。 | ||
申请公布号 | CN103456848A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
申请号 | CN201210181498.7 | 申请日期 | 2012.06.04 |
申请人 | 华夏光股份有限公司 | 发明人 | 张源孝 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 陈波;文琦 |
主权项 | 一种半导体装置的制造方法,包含:提供一基板;形成至少一磊晶结构于该基板上;切割并剥离所述基板的一部分,以曝露该磊晶结构的一部分表面;及形成一第一电极于所述部份表面。 | ||
地址 | 开曼群岛KY1-1104大开曼岛阿格兰屋邮政信箱309 |