发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置,形成至少一磊晶结构于基板上。切割并剥离基板的一部分,以曝露磊晶结构的部分表面。接着,形成第一电极于磊晶结构的曝露表面,因而形成垂直式半导体装置。
申请公布号 CN103456848A 申请公布日期 2013.12.18
申请号 CN201210181498.7 申请日期 2012.06.04
申请人 华夏光股份有限公司 发明人 张源孝
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人 陈波;文琦
主权项 一种半导体装置的制造方法,包含:提供一基板;形成至少一磊晶结构于该基板上;切割并剥离所述基板的一部分,以曝露该磊晶结构的一部分表面;及形成一第一电极于所述部份表面。
地址 开曼群岛KY1-1104大开曼岛阿格兰屋邮政信箱309
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